IT之家 7 月 10 日消息，JEDEC 固態技術協會 7 月 9 日發布 JESD209-6，即最新的低功耗雙倍數據速率 6(LPDDR6)標準。JESD209-6 旨在顯著提升多種應用場景(包括移動設備和人工智能)的內存速度與效率。JEDEC 稱，新版 JESD209-6 LPDDR6 標準是內存技術的重大進步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

　　

 

　　高性能

　　為支持人工智能應用及其他高性能工作負載，LPDDR6 采用雙子通道架構，在保持 32 字節小訪問粒度的同時實現靈活操作。此外，LPDDR6 的主要特性還包括：

　　每顆芯片含 2 個子通道，每個子通道有 12 條數據信號線(DQs)，以優化通道性能

　　每個子通道包含 4 條命令 / 地址(CA)信號，經優化減少焊球數量并提高數據訪問速度

　　靜態效率模式，旨在支持大容量內存配置并最大化存儲體資源利用率

　　靈活的數據訪問，支持實時突發長度控制，可實現 32B 和 64B 訪問

　　動態寫入 NT-ODT(非目標片上終端)，使內存能根據工作負載需求調整 ODT，提升信號完整性

　　能效

　　為滿足不斷增長的能效需求，與 LPDDR5 相比，LPDDR6 采用更低電壓和低功耗的 VDD2 供電，并強制要求 VDD2 采用雙電源設計。其他節能特性包括：

　　采用交替時鐘命令輸入，提升性能與效率

　　低功耗動態電壓頻率調節(DVFSL)，在低頻運行時降低 VDD2 電壓，減少功耗

　　動態效率模式，在低功耗、低帶寬場景下采用單子通道接口

　　支持部分自刷新和主動刷新，降低刷新功耗

　　安全性與可靠性

　　相較于上一版本標準，安全性和可靠性方面的改進包括：

　　每行激活計數(PRAC)，支持 DRAM 數據完整性

　　定義隔離元模式，通過為關鍵任務分配特定內存區域，提升整體系統可靠性

　　支持可編程鏈路保護方案和片上糾錯碼(ECC)

　　能夠支持命令 / 地址(CA)奇偶校驗、錯誤清理以及內存內置自測試(MBIST)，增強錯誤檢測能力和系統可靠性