摘要：

　　國產碳化硅產業鏈再傳捷報!搭載芯粵能自主研發第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅芯片的整車800V電驅總成成功下線，該芯片封裝于芯聚能V2P功率模塊，其性能指標全面對標國際競品，可靠性、良率表現優異。芯粵能和芯聚能在新能源汽車主驅領域，已構建了從芯片設計、制造、到封測的垂直整合一體化產業模式。依托資深團隊和先進工藝，雙方協作創新，共同打造出具備卓越出流能力的碳化硅芯片及模塊。展望未來，雙方將持續深化合作，繼續驅動國產碳化硅器件在性能與成本上實現雙重躍升，加速碳化硅產業的國產替代進程，全面支撐“國芯國用”戰略落地，持續為構建自主可控、創新引領的中國半導體產業鏈注入“芯”動力。

　　在新能源汽車、風光儲等新能源產業蓬勃發展的強勁需求推動下，我國碳化硅產業迎來了飛速發展的黃金時期。未來，我國碳化硅產業有望加速推進從“跟跑”“并跑”到“領跑”的跨越。

　　近日，國產碳化硅產業鏈再傳捷報。搭載芯粵能自主研發第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅芯片的整車800V電驅總成成功下線，該芯片封裝于芯聚能V2P功率模塊。這標志著兩家企業的芯片設計能力、晶圓廠制造工藝成熟度均達到車規級碳化硅芯片行業主流水準，成功躋身全球少數具備車規主驅碳化硅芯片供應能力的廠商行列，為我國新能源汽車產業的高質量發展注入了強勁動力。

　　主驅芯片性能卓越，關鍵指標表現優異

　　芯粵能已構建平面與溝槽碳化硅工藝平臺，其近期量產上車的 1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅芯片基于平面型第一代平臺工藝打造，性能指標全面對標國際競品，可靠性、良率表現優異，充分展現了公司在芯片設計、制造工藝及材料應用上的集成優勢。目前，芯粵能已形成“生產一代、開發一代、預研N代”的格局。在技術路線上，第二代、第三代平面MOSFET工藝平臺持續優化，并將分別在今年三季度和明年一季度推出;同時，第一代溝槽MOSFET工藝平臺已于今年上半年順利完成研發及可靠性考核。第二代溝槽MOSFET工藝平臺的開發正穩步推進，預計將于明年初正式推出。

　　

 

　　芯粵能 SiC晶圓芯片

　　芯粵能研發副總監曾祥表示，這款碳化硅芯片部分指標優于國際大廠主力出貨的1200V 16mΩ SiC MOSFET產品。為確保第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET芯片順利實現從0到1的上車跨越，芯粵能將可靠性置于首位。此外，曾祥強調，在客戶高標準要求下，芯粵能秉持比國際廠商更嚴苛的驗證標準，其產品壽命篩選標準提升至1500～2000小時，遠超行業常規的1000小時。這款芯片在電驅及車廠驗證中表現優異，數十項測試均一次性通過，獲得客戶高度認可，彰顯了芯粵能產品在可靠性方面的優勢。

　　高性能碳化硅芯片要成功實現上車應用，除了芯片本身的卓越性能外，還需要與之匹配的優秀模塊設計與制造能力。在這一關鍵環節，芯聚能充分發揮其專業優勢，基于芯粵能1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅芯片，成功開發出V2P功率模塊。整體來看，V2P功率模塊在降低功率損耗、提高系統效率、提升散熱性能以及支持高功率密度設計等方面均展現出顯著優勢，為新能源汽車的高效驅動提供了強大動力。芯聚能已有成熟的車規級認證體系，包括V2P在內的車規產品均順利通過了模塊級AQG324認證、電驅系統級整車驗證，全流程滿足車規級可靠性要求。未來將實現V2P功率模塊的規模放量，為國產碳化硅器件在新能源汽車領域的廣泛應用奠定堅實基礎。

　　產業鏈融合布局，深度合作樹立典范

　　事實上，項目團隊創立伊始即確立“芯粵能+芯聚能”的產業鏈融合布局。芯粵能和芯聚能在新能源汽車主驅領域，已構建了從芯片設計、制造、到封測的垂直整合一體化產業模式，雙方緊密協同合作，共同推動碳化硅產業發展。

　　芯粵能CTO相奇認為，要打造優秀的碳化硅功率器件，單獨優化芯片或模塊都很難達到最優效果。無論性能、可靠性還是成本，部分問題在芯片端解決能獲得最佳效果，部分則在模塊端才能實現最優解，還有部分需要兩端同時協同才能讓器件達到理想性能，這就需要前后端的密切配合與協作。在這個過程中，SDCO(System Device Co-Optimization，即“系統器件協同優化”)的理念發揮了至關重要的作用。

　　得益于芯粵能與芯聚能的緊密協同，研發過程中的多項工作得以并行推進，突破了傳統需等待上一流程完成后才啟動下一流程的串行模式。在該產品開發中，部分芯片驗證與模塊驗證同步進行，顯著縮短了車規認證周期。此外，V2P的成功上車也離不開電驅總成企業及主機廠的積極參與。芯粵能、芯聚能及威睿電動的通力合作對需求溝通與產品調優起到了關鍵作用。

　　芯聚能已在新能源汽車領域取得了顯著成績，碳化硅主驅模塊累計交付量超過45萬個，位居本土廠商前列。早期階段，芯聚能在芯片選型上面臨諸多挑戰。正如芯聚能執行副總裁劉軍所說：“芯聚能是吃百家飯長大，各家的優勢和不足我們心里都比較清楚。”這種深度行業認知，為芯粵能產品的開發與性能優化提供了寶貴的思路與方案。

　　

 

　　芯聚能 V2P功率模塊

　　以芯粵能第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅芯片為例，使用此款芯片開發的V2P功率模塊展現出了全球領先的出流能力。這一優勢離不開雙方的緊密合作。劉軍指出，性能指標不等于實際應用表現。為此，芯聚能與芯粵能攜手，在產品定義階段就嚴苛錨定高起點。依托資深團隊和先進工藝，芯粵能和芯聚能共同打造出具備卓越出流能力的碳化硅芯片及模塊，彰顯了雙方協同創新的優勢互補。

　　在這個過程中，雙方融合高效，測試數據實時共享、研發問題即時共解。相奇表示：“(雙方)解決方案交流的速度是按小時算的，溝通效率非常快，合作效果非常好。”這種機制極大縮短了開發周期，提高了市場響應速度。

　　目前，雙方不僅在第一代工藝上同步推進，更在第二代、第三代產品上并行預研，目標性能全面超越國際競品并大幅降本。相奇認為：“研發驅動技術快速迭代，而技術迭代是降本的關鍵路徑。”

　　加速技術迭代，支撐“國芯國用”戰略

　　芯粵能與芯聚能通過芯片設計、芯片制造與模塊應用的強耦合，雙方不僅實現了核心技術的深度融合與資源高效共享，更顯著加速了產品迭代進程，降低了全鏈條開發成本，共同構筑起強大的市場競爭力。

　　此次芯聚能基于芯粵能第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驅芯片打造的高性能V2P功率模塊成功量產上車，標志著國產碳化硅器件在核心性能與可靠性上已躋身國際前列。這不僅是單一產品的突破，更是國產碳化硅芯片通過深度協同實現高質量、規模化上車的典范。

　　展望未來，雙方將持續深化協同，依托第二代、第三代先進工藝平臺的并行開發與快速導入，驅動國產碳化硅器件在性能與成本上實現雙重躍升，為新能源汽車、風光儲充、低空經濟、AI數據中心等戰略性新興產業提供更具競爭力的“中國芯”解決方案。在“國芯國用”“國芯國造”的戰略指引下，芯粵能與芯聚能的深度協作，將開啟國產新能源汽車產業的“芯”征程，持續為構建自主可控、創新引領的中國半導體產業鏈注入“芯”動力。