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據(jù)日經(jīng)報道，日本計劃預算 3500 億日元(約 171.5 億元人民幣或 23.8 億美元)與美國開展下一代半導體開發(fā)研究合作。
最新法案還包括 1 萬億日元的預算，將用于電池、永磁體和稀土供應鏈的多元化。日本首相岸田文雄宣布將在包括半導體在內(nèi)的下一代領(lǐng)域投資 3 萬億日元，預計在電池和機器人方面的投資將略低于 1 萬億日元。
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該聯(lián)合研究中心將于今年年底成立，目標是在 20 年代后半期開發(fā)并具備大規(guī)模生產(chǎn) 2 納米芯片先進半導體的能力。
參與的日本公司的名稱和其它細節(jié)將于本月公布。東京大學、國立先進工業(yè)科學技術(shù)研究所和理研研究所以及美國和歐洲的公司和研究機構(gòu)將參加。
據(jù)介紹，這筆支出包含在本財年的二次補充預算法案中，其中還將包括 4500 億日元用于日本先進半導體生產(chǎn)中心(如果算上去年追加預算中的 6170 億日元在內(nèi)，這項工作的支出將超過 1 萬億日元)，以及 3700 億日元用于確保造芯片必不可少的材料。
目前日本政府已經(jīng)批準了對臺積電、鎧俠和美國美光科技的補貼，以在日本建立工廠，生產(chǎn)數(shù)據(jù)中心、人工智能和其它尖端技術(shù)所需的半導體。
（邯鄲小程序開發(fā)）
