在 M1 Ultra 官方發(fā)布會(huì)上，蘋果介紹其 Mac Studio 中的 M1 Ultra 時(shí)表示，這是最強(qiáng)大的定制 Apple Silicon，它使用 UltraFusion 芯片對(duì)芯片互連技術(shù)，從而實(shí)現(xiàn)了 2.5TB / s 的帶寬。

　　從介紹來看，這涉及到兩個(gè) M1 Max 芯片協(xié)同工作的問題。臺(tái)積電現(xiàn)已證實(shí)，蘋果 M1 Ultra 芯片其實(shí)并未采用傳統(tǒng)的 CoWoS-S 2.5D 封裝生產(chǎn)，而是使用了本地的芯片互連 (LSI) 的集成 InFO(Integrated Fan-out)芯片。

　　IT 之家了解到，蘋果最新的 M1 系列產(chǎn)品基于臺(tái)積電 5nm 工藝技術(shù)，但之前有媒體稱其通用采用了臺(tái)積電 CoWoS-S(chip-on-wafer-on substrate with silicon interposer)封裝工藝。當(dāng)然，臺(tái)積電在使用其 CoWoS 封裝平臺(tái)為網(wǎng)絡(luò) IC 和超大 AI 芯片等多種芯片解決方案供應(yīng)商提供服務(wù)方面擁有豐富經(jīng)驗(yàn)，而且臺(tái)積電還一直在使用先進(jìn)工藝和 InFO_PoP 技術(shù)制造 iPhone 芯片。

　　實(shí)際上有很多種可以將芯片組橋接進(jìn)行相互通信，但臺(tái)積電的 InFO_LI 可以降低成本。半導(dǎo)體封裝工程專業(yè)人士 Tom Wassick 放出了一張臺(tái)積電在 3D IC 和異構(gòu)集成國際研討會(huì)上呈現(xiàn)的 PPT，闡明了其封裝方法，顯示蘋果這次使用了 InFO_LI 技術(shù)。

　　總的來說，CoWoS-S 是一種非常不錯(cuò)的方法，但要比 InFO_LI 更貴。除了這一點(diǎn)之外，Apple 沒必要選擇 CoWoS-S，畢竟 M1 Ultra 只需要完成兩個(gè) M1 Max 芯片的相互通信，而所有其他組件，包括統(tǒng)一的 RAM、GPU 和其他組件都是芯片中的一部分，因此，除非 M1 Ultra 改用信新型多芯片設(shè)計(jì)和更快的內(nèi)存(如 HBM)，否則 InFO_LI 對(duì) Apple 來說就是更好的選擇。

　　具體而言，InFO-LSI 技術(shù)需要將一個(gè)本地 LSI (silicon interconnection) 與一個(gè)重分布層 RDL (redistribution layer) 相關(guān)聯(lián)。與 CoWoS-S 相比，InFO-LSI 的主要優(yōu)勢(shì)在于其較低的成本。

　　CoWos-S 需要用到大量完全由硅制成的大型中介層，因此成本非常昂貴;但 InFO_LI 湊合著用了本地化的芯片互連技術(shù)，總的來說沒什么太大影響。

　　值得一提的是，彭博社 Mark Gurman 稱，蘋果新一代 Mac Pro 已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，它將搭載一款更強(qiáng)的芯片，也就是 M1 Ultra 的“繼任者”。據(jù)稱，這款產(chǎn)品的代號(hào)為 J180，此前的信息暗示，這款產(chǎn)品將采用臺(tái)積電的下一代 4nm 工藝量產(chǎn)，而不是目前的 5nm 工藝。

　　有傳言稱，新的蘋果芯片將具有兩個(gè) M1 Ultra 相結(jié)合(4 個(gè) M1 Max)。Gurman 早些時(shí)候表示，這款工作站將采用定制的芯片，最多可支持 40 核 CPU 和 128 核 GPU，性能值得期待，定價(jià)同樣美麗。
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