據中國臺灣地區媒體報道，為朝半導體制造的 1 納米甚至埃米(0.1 納米)世代超前部署，據高雄市府知情官員透露，臺積電正為 2 納米之后的先進制程持續覓地，包含橋頭科、路竹科，均在臺積電評估中長期投資設廠的考量之列。

　　關于是否前進高雄，臺積電昨(27)日維持董事長劉德音日前的論調，「以后有機會，短期沒規劃」。

　　劉德音日前強調，臺積電在北中南的投資規劃各占三分之一，5 納米制程以南科為主，預計會占六、七成，2 納米制程投資將在竹科二期擴大地，竹科擴大二期如果不夠的話，中科臺積電廠區旁邊還有一塊土地可供后續使用。

　　臺積電的晶圓制造制程已發展到 2 納米，并朝 1 納米甚至埃米等級的制程加速布局。沉榮津也曾允諾，將竭力協助臺積電在 1 納米與各項投資上，解決土地、水、電等需求，要維持其在先進制程保持全球領先地位。

　　高市府官員透露，臺積正持續在探尋「2 納米以后」的設廠用地，曾為此接觸過市府，其需求是要能有一塊完整且既成的設廠用地，而橋頭科、路竹科，都在其中長期設廠投資的探詢之列，不過考量用地大小，橋頭科更為適宜。

　　不僅臺積電開始超前部署覓地，行政院也規劃在 2021 年至 2025 年間，投入 43.72 億元推動「Å(埃米)世代半導體」計畫，要先由政府「花學費」，從設備，儀器，材料與製程技術瓶頸等探路，作為半導體業界未來投資方向的「探照燈」。

　　根據規劃，中國臺灣科技部長吳政忠所提出六個加強發展的主軸，其一為攸關島內半導體產業未來發展的「Å 世代半導體」，意指半導體在進入 3 奈米制程后，接下將進入Å(埃米) 領域，因此政府與業界也開始著手布局。

　　政院官員透露，半導體技術在 1 納米以下會開始遇到瓶頸，但并非不可突破，因半導體界尚無如此前瞻的研究，產業界也尚無馀力處理，因此在諮詢過半導體界意見后，挑出基本可探索的方向，進行前瞻技術研究，建立此領域的基礎技術能量。

　　但臺積電羅鎮球今年八月在一個演講中曾表示，目前為止，我們看到 3 納米、2 納米、1 納米都沒有什么太大問題。

　　設備和材料都已經準備好?

　　來自日媒的報道稱，在不久前舉辦的線上活動中，歐洲微電子研究中心 IMEC 首席執行官兼總裁 Luc Van den hove 在線上演講中表示，在與 ASML 公司的合作下，更加先進的光刻機已經取得了進展。

　　Luc Van den hove 表示，IMEC 的目標是將下一代高分辨率 EUV 光刻技術高 NA EUV 光刻技術商業化。由于此前得光刻機競爭對手早已經陸續退出市場，目前 ASML 把握著全球主要的先進光刻機產能，近年來，IMEC 一直在與 ASML 研究新的 EUV 光刻機，目前目標是將工藝規?？s小到 1nm 及以下。

　　目前 ASML 已經完成了 NXE:5000 系列的高 NA EUV 曝光系統的基本設計，至于設備的商業化。要等到至少 2022 年，而等到臺積電和三星拿到設備，之前要在 2023 年。

　　與此同時，臺積電在材料上的研究，也讓 1nm 成為可能。

　　臺積電和交大聯手，開發出全球最薄、厚度只有 0.7 納米的超薄二維半導體材料絕緣體，可望借此進一步開發出 2 納米甚至 1 納米的電晶體通道，論文本月成功登上國際頂尖期刊自然期刊(nature)。

　　國立交通大學電子物理系張文豪教授研究團隊在科技部長支持下，與臺灣積體電路制造股份有限公司合作，合作研究開發出全球最薄、厚度僅 0.7 納米、大面積晶圓尺寸的二維半導體材料絕緣層，臺積電表示，關鍵則在于單晶氮化硼技術的重大突破，將來可望藉由這項技術，進一步開發出 2 納米甚至 1 納米的電晶體通道。

　　目前臺積電正在推動 3 納米的量產計劃，指的就是電晶體通道尺寸，通道做的越小，電晶體尺寸就能越小，而在不斷微縮的過程中，電子就會越來越難傳輸，導致電晶體無法有效工作，目前二維半導體材料是現在科學界認為最有可能解決瓶頸的方案之一。

　　二維半導體材料特性就是很薄，平面結構只有一兩個原子等級的厚度，張文豪指出，但也因此傳輸中的電子容易受環境影響，所以需要絕緣層來阻絕干擾，目前半導體使用的絕緣層多半是氧化物，一般做到 5 納米以下就相當困難，無法小于 1 納米，團隊開發出的單晶氮化硼生長技術，成功達成 0.7 納米厚度的絕緣層。

　　文章第一作者臺積電技術主任陳則安，為清大化學系博士，他表示，單晶是指單一的晶體整齊排列，單晶對于未來半導體結構比較有幫助，因為假設絕緣層不是單晶結構，中間會出現很多缺陷，電阻經過的時候可能被缺陷影響，導致效能變差，實驗也已證實會有影響，未來還需要更多研究。

　　陳則安說，過去科學界認為，銅上不太可能出現單晶生長，但是研究團隊在實驗發現，微米單位范圍內氮化硼有同向生長的狀況，排列出單一晶體，因此透過分析這極小的區域，調整實驗參數和選擇材料，成功克服障礙，不但可以單晶生長，還能做到大面積二吋晶圓的尺寸。

　　臺積電處長李連忠曾經是中研院原分所研究員，他表示，臺積電研究團隊經過基礎研究后，找到問題和突破可能性，跟交大化學氣相沉積實驗室合作，讓氮化硼單晶在銅上生長，作為保護二維半導體材料的通道，目前無法說明量產時間，還有很多關鍵技術要突破，例如金屬接觸和元件優化，但是的確對于未來電晶體尺寸再縮小將有幫助。
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